于 1c nm 制程 DRAM 生产，将同时制造通用内存和 HBM。三星电子预计将从 2027Q2 开始为平泽 P5 PH1 安装图案化设备，届时该阶段的洁净室施工也将完成，有望在 2027 年内对产能带来有意义的贡献，满足英伟达 "Rubin" 与其它 AI XPU 的需求，纾解当前 DRAM 市场的供应紧张态势。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递
明。
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发布时间：14:23:26
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